募集要項

募集職種

【福岡】SiCパワーデバイス開発エンジニア

仕事内容

【職務概要】
SiCパワーデバイス開発エンジニアとして業務を担当いただきます。
福岡の子会社に駐在していただく予定です。

【職務詳細】
■SiCパワーデバイス開発・設計
■SiCパワーデバイスプロセス開発

SiC（シリコンカーバイト）は次世代の半導体材料として注目されており、
従来のSi半導体に比べ、小型化・低消費電力化・高効率化が
可能なパワー素子が実現出来ます。
既に2012年に製品化もしており、新製品の開発を行って頂きます。

【世界をリードするSiCパワーデバイス】
2009年に欧州のSiC単結晶ウエハメーカーを同社グループの一員に迎え、
ウエハ／金型／リードフレーム／パッケージ製造まで全てのプロセスを
グループ内で独自に開発することができる体制を確立しました。
2025年までにSiCの生産能力を2017年の16倍まで拡大し、
市場シェアも業界トップクラスを目指し、
グループ生産拠点も2020年に新棟を竣工予定です。

雇用形態

正社員（中途）

応募資格

【必須】
■いずれかの経験がある方
・半導体前工程のデバイスインテグレーション経験
・半導体前工程の工程欠陥改善経験

【このような方におすすめです】
同社の原動力は「チャレンジ精神」です！
今後の更なる飛躍を目指し、
志が高い方、情熱を持った方にはおすすめの企業です。

勤務地

〒834-0111 福岡県八女郡広川町日吉1164-2

勤務時間

8：15～17：15

想定給与

■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇

待遇・福利厚生

通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）

休日・休暇

週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日）