募集要項

募集職種

【富山】ディスクリートパワーデバイス開発エンジニア

仕事内容

【職務概要】
ディスクリートパワーデバイス（主にトレンチMOSFET）開発を、プロセス技術・TCAD技術・信頼性技術等の関連部署と連携して行っていただきます。

【職務詳細】
■顧客・市場要求から、性能とコスト競争力のある新規デバイスの開発
■プロセス開発とデバイス開発を盛り込んだSiウエーハ作製フローを構築し、開発ウエーハ作製を具体化
■顧客やベンダー等、外部との技術議論を通じて、満足度を与えながら開発課題の対応を実施
■チーム内外のメンバーとの円滑なコミュニケーションと技術調整

■タワーセミコンダクターとヌヴォトンテクノロジージャパンの融合で誕生したアナログ半導体スペシャルティファンドリー会社。
■製品／サービスの質／環境／安全衛生に注力しワールドクラスの半導体ウェハ製造受託工場の実現を目指しています。

雇用形態

正社員（中途）

応募資格

【必須】
■Siパワー半導体デバイス・プロセスの開発経験・知識をお持ちの方

【尚可】
■半導体製造の知識、経験がある方
■プロジェクトマネジメントの知識・経験がある方

勤務地

富山県砺波市東開発271

勤務時間

8時30分～17時15分
※フレックスタイム制あり（コアタイム：なし）

想定給与

■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇

待遇・福利厚生

確定拠出年金制度、単身赴任手当、単身赴任者帰省旅費制度、寮・社宅、住居費補助制度、食堂・売店完備、制服貸与

休日・休暇

【年間休日127日（2024年実績）】完全週休2日制（土・日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇