募集要項

募集職種

【京都】パワーデバイス開発エンジニア（GaN電源設計）

仕事内容

【職務概要】
GaNパワーデバイスの電源設計をお任せします。

【職務詳細】
・GaNデバイスを用いた電源回路設計、評価
・GaNデバイスの海外拡販

【GaNデバイスについて】
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のことです。
物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっています。
例えば、GaNパワーデバイスを、DC／DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できます。
既に量産化が始まっているSiC（シリコンカーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。

※ご経歴を確認し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討いたします。

雇用形態

正社員（中途）

応募資格

【必須】
下記いずれかのご経験がある方
・電源回路設計
・半導体業界でのGaNデバイスの研究開発
・パワーモジュール設計

勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町２１

勤務時間

8:15～17:15

想定給与

■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇

待遇・福利厚生

通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）

休日・休暇

完全週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、有給休暇（最大20日）年間休日127日（2022年度）