募集要項

募集職種

【京都】パワーデバイス・プロセス開発エンジニア（GaN）

仕事内容

【職務概要】
同社のパワーデバイス・プロセス開発エンジニア（GaN）として業務をご担当いただきます。

【職務詳細】
■GaNデバイス・プロセスの設計・開発業務
　信頼性／歩留まり改善業務
■Foundry開発　　等

【募集背景詳細】
■GaNデバイス量産体制構築、開発体制強化
量産化に向けて、工場への技術移管を進めていくリーダー人財を求めています。

＜GaNパワーデバイスとは＞
GaN（窒化ガリウム）とは、次世代パワーデバイスに用いられる半導体材料のこと。物性に優れており、高周波特性を活かし、低耐圧領域で採用が始まっている。例えば、GaNパワーデバイスを、DC／DCコンバータやインバータなどの電源装置に搭載すれば、電力変換効率の向上や装置の小型化などを実現できる。既に量産化が始まっているSiC（シリコン・カーバイド）を補完するパワーデバイスとして、今後も普及が期待されています。

雇用形態

正社員（中途）

応募資格

【必須】
■半導体材料物性、半導体プロセスの知識
■マネジメント経験、または、周囲を巻き込み業務を進めた経験をお持ちの方
※ご経歴を拝見し、可能性のある方については他の化合物半導体の開発エンジニアについても検討させていただきます。

【尚可】
■GaNデバイス、プロセス設計のご経験がある方
■GaNデバイスの製造、量産化のご経験がある方
■英語での技術ディスカッションが可能な方

勤務地

京都府京都市右京区西院溝崎町21

勤務時間

8時15分～17時15分

想定給与

■経験、スキル、年齢を考慮の上、同社規定により優遇

待遇・福利厚生

通勤手当（上限4万円）、退職金制度、住宅制度（結婚都合補助、入社都合補助、持家援助金制度、転勤都合補助など）、社内厚生施設（社員食堂、カフェテリア、フィットネスルームなど）

休日・休暇

年間休日130日（2023年度）、週休2日制（土日）、祝日、夏季休暇、年末年始休暇、慶弔休暇、産前産後休暇、育児休暇、介護休暇、有給休暇（最大20日）